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作者:admin   發(fā)布時(shí)間:2021-09-17 11:29:16   點(diǎn)擊量:

在中等溫度下,這只會(huì)導(dǎo)致晶體管泄漏和噪聲,但在較高溫度下,本征載流子濃度超過(guò)摻雜可以提供的載流子。ti德州儀器代理可以隨著電流的增加,晶體管不能再像開(kāi)關(guān)卡在開(kāi)位置那樣閉合。ti德州儀器代理和ic芯片的原因如下:當(dāng)溫度升高時(shí),作為半導(dǎo)體的硅停止工作,不是因?yàn)樗刍⑷紵騽×易兓?相反,晶體管開(kāi)始充滿發(fā)熱的電荷載流子。熱量使一些電子有足夠的能量從價(jià)帶中沸騰出來(lái)它們與價(jià)帶中的原子結(jié)合并進(jìn)入導(dǎo)帶,留下帶正電的空穴。 分離的電子和空穴有助于傳導(dǎo)。

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在這些特性的綜合作用下,與硅相比,ti德州儀器代理可以在更高的電壓、功率和溫度下工作。 此外,即使在硅可以工作的溫度下,碳化硅往往性能更好,因?yàn)樘蓟杵骷梢栽诟叩念l率和更低的損耗下開(kāi)啟和關(guān)閉??偠灾?,我們擁有更高效、更強(qiáng)大的設(shè)備,以及更小、更輕且可以在金星環(huán)境中運(yùn)行的電路和系統(tǒng)。 相比之下,碳化硅具有更寬的帶隙和更少的本征載流子,并且在晶體管溢流之前具有更大的溫度余量,使其能夠在 800°C 以上繼續(xù)開(kāi)關(guān)。

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