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東芝（Toshiba）半導體智能功率芯片
發(fā)布時間：2021-04-17 15:22:38 點擊量：
品牌：東芝（Toshiba）半導體
型號: 東芝（Toshiba）半導體智能功率芯片
型號: 東芝（Toshiba）半導體智能功率芯片
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智能功率模塊芯片中的主要發(fā)熱元件是IGBT，功率芯片，驅動1C及其外圍電阻，電容等元器件對散熱要求不高。支撐結構主要有以下幾種方案：采用覆銅陶瓷基板作為支撐，將IGBT，F(xiàn)RD功率芯片與驅動1C及其外圍電阻，電容等元器件焊接在覆銅陶瓷基板上，然后用環(huán)氧樹脂塑料塑封，其中將沒有元件焊接的一面露在外面，使用覆銅陶瓷基板（DBC）可提高產品的可靠性以及散熱能力，但IPM產品成本相對較高；
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